DRAM芯片的中国梦：一场只许胜不许败的战争

　　DRAM芯片的中国梦：一场只许胜不许败的战争！DRAM(动态随机存取记忆体)，存储芯片的主力军，具有国家战略意义的技术高地，DRAM的国产化一直是中国高端制造的“中国DREAM”。

　　移动互联网爆发的背后离不开手机芯片的支撑，DRAM存储芯片在这其中更是不可或缺，得益于国产智能手机的快速发展，我国成为全球最大的存储芯片采购国——每年超过680亿美金，4500亿人民币的国内需求市场空间，未来在服务器、云端、物联网及人工智能领域的应用空间也极其宽广。

　　但是，与之对应的尴尬现实是，2015年之前DRAM存储器制造在中国还是空白，全球市场被三星、海力士和美光垄断。在DRAM领域，即手机里的1G，2G，4G….内存，三星+海力士+美光占了全球份额的近94%，拥有压倒性优势。

　　被人扼住了脖子，中国该怎么办？

　　中国互联网企业小米们的哭泣

　　小米：2016年我们的日子很不好过，手机销量持续下跌，其中一个很重要的原因是存储器供应不足，且价格不断飙升。利润也受到存储器大幅涨价的影响。

　　华为：我们2016年从韩国采购存储器等半导体产品的金额超过300亿人民币，占了我们全年总营收的近6%！采购金额增幅更是我们整体营收增幅的3倍，大大侵蚀了我们的利润。

　　小米、华为们：三星、海力士，你们这些吸血鬼！

　　三星、海力士、美光却抬着高傲的头颅，撇着嘴说：“谁让你们没有能力自己生产，趁着供不应求的大好行情我们当然得联合起来涨价大赚一波了，话说2017年我们将DRAM的价格又提升了40%，给你们看看我们去年的战绩”

　　好华丽的一张财报，亮瞎了小米、华为们的眼睛，原来我们与其差距简直是十万八千里：

　　以2016年全球半导体20强的营收为例：

　　前20强中美国公司营收总和1197亿美元，世界第一

　　韩国三星+海力士两家营业收入为587亿美元，仅次于美国，位居世界第二

　　台湾，台积电+联发科+联电为423.89亿美元;位居第三

　　欧洲三家NXP+英飞凌+ST为243.5亿美元，居于第四

　　第五是日本，索尼+瑞萨+东芝三家加起来是213.74亿美元

　　三星：看出来了吧，我们韩国现在是世界第二半导体强国，比欧洲和日本加起来还要多，我们三星今年还超过了英特尔，成为了世界第一大半导体供应商，2017年第三季度净利润更是高达98.7亿美元，增长145%，季度净利直逼苹果，成为世界最赚钱的两家公司，比全球所有银行，保险，石油公司都要赚钱。

　　那你们的主业不是手机，而是半导体了？

　　三星集团：半导体业务的确是我们的核心业务之一，业务收入超过了三星电子其他三项主营业务：手机+OLED屏幕+家电之和，比如2017年，三星业务的增长主要依靠的是存储器，其次是屏幕。半导体行业已然成了三星的摇钱树和盈利支撑。

　　中国的芯片企业：“I have a dream”

　　犹如京东方在面板领域为国争光一样，中国芯片企业的中国梦也在心底冉冉升起，来，让我们看他们的进展：

　　兆易创新：你别嚣张，我们正在奋力追赶

　　兆易创新是一家技术型公司，创始人朱一明是清华的硕士，硅谷海归，国家千人计划技术专家，在他的领导下兆易创新开创了中国存储器产业的商业化。

　　联合合肥长鑫，兆易创新于2016年底投资494亿美元人民币开始建设DRAM存储器基地，预计2018年底开始量产，虽然预计良率仅为10%，但将是世界第四家突破20mm以下DRAM生产技术的公司。虽不及三星和海力士，但有望和美光一较高下。

　　爆发吧，小宇宙。

　　长江存储：我们正集国家之力弯道超车

　　长江存储的前身是武汉新芯，成立于2006年。成立之初的目标就是做DRAM，但遭受当时DRAM价格低谷项目无疾而终。

　　几经波折，由于国家集成电路大基金的推动，武汉新芯在2016年3月宣布将投资240亿美元在武汉打造一个世界级的半导体存储企业，集中精力研发NANO FLASH 和DRAM 存储芯片。四个月后在国家大基金的推动下，紫光集团参与进来，共同在武汉新芯的基础上成立了长江存储公司，武汉新芯成为长江存储的全资子公司。其中紫光集团控股子公司紫光国芯占51.04%对长江存储形成控股。

　　2017年1月，紫光集团进一步宣布投资300亿美元，在江苏南京投资建设半导体存储基地，一期投资100亿美元，建成月产能10万片，主要生产3D NAND FLASH(闪存)、DRAM存储芯片。

　　武汉工厂240亿美元+南京工厂300亿美元，光是长江存储项目，中国就砸了540亿美元，那么长江存储前景如何？

　　近日，长江存储首次曝光了耗时2年，耗资10亿美元研发成功的32层64G的3D NAND FLASH存储芯片。这也是目前离世界水平最近的一颗存储芯片。

　　目前长江存储的重心放在3D NAND flash的开发上面，同时也在推进20/18nm的DRAM开发。按照长江存储的说法，DRAM进度慢于NAND FLASH，那么DRAM量产最快是在2020年，和2017年完成20nm制程转换的海力士、美光差距还是有近3年。

　　福建晋华：落后就要挨打

　　福建晋华集团与台湾联华电子合作，一期投资370亿元，在晋江建设12英寸晶圆DRAM厂，2018年建成月产能6万片，年产值12亿美元。规划到2025年四期建成月产能24万片。

　　近两年中国在存储器上的总投资已超过1400亿美元！

　　据调查，存储器行业的人才竞争已经进入白热化，国家和企业都在拉拢相关领域最顶尖人才，毕竟，天时地利已经具备，剩下的就是人和了。

　　三星：虽然你们的技术不可能超过我，但我按例还是“反周期性打压”一下吧

　　所谓的“反周期定律”，是指在市场产能过剩、产品价格下跌、其他企业削减投资的时候，依靠政府输血，强行扩大产能，使产品价格进一步走低，疯狂扼杀其他企业的利润，在把竞争对手驱逐出场的时候，便可以在产品价格上扬的时候狠赚一笔。三星早将这种手段运用到炉火纯青，也是其多次击倒竞争对手的手段。

　　2017年5月，三星在韩国华城工厂投资27亿美元增设DRAM产线

　　2017年8月，三星宣布未来三年投资70亿美元，在中国最大的西安工厂扩产NAND Flash产能

　　2017年11月的消息，三星还将继续扩容内存产能。

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　　据统计，今年三星的资本支出将达到创纪录的260亿美元，单NAND FLASH就投了140亿美元，而2016年三星的资本支出总额才113亿美元。

　　这背后的目的不言而明，虽然短期内的高成本支出将带来折旧费用的提升，并导致获利能力下滑，但三星着眼的是长期的产业布局，并试图保持其在DRAM市场的领先地位。此外，通过迅速压低DRAM和NAND的价格，将使中国的竞争对手因生产良率低和技术的差距亏损扩大，增加发展难度并减缓其开发速度，甚至会利用进一步压低价格的市场手段进行压制，毕竟，利用自己的少量亏损可以加大其他竞争对手的亏损。

　　海力士：那我也跟着扩产吧

　　海力士也没有闲着，2017年11月，SK海力士与无锡市政府签约，计划投资86亿美元扩充DRAM产能，估计新厂房每月产能为20万片。厂房预计2018年底完工，在2019年搬入机台设备开始实现量产。

　　中国、三星、海力士、美光：我们2019年正式开战

　　按整理的时间线来看，2016年是中国存储元年，2019年是技术和产品转为量产的关键节点。也很可能是低价周期到来的节点。

　　但即使到那时技术仍相差2年，即使只是刚刚真正进入战场，即使会面临三星等巨头的疯狂价格打压。那也值得我们所有人兴奋，因为到那时，不仅是华为小米等相关企业会因此受益，整个产业链也会发生极大的变化，蝴蝶效应正在产生。

　　总结：

　　细细回想可以发现，在曾经三星引以为豪的家电、手机和屏幕中，三星可以汲取中国的利益已经越来越少，尤其是家电。那么，当中国半导体开始真正走向强大之时，三星还能剩下什么，想到这里小编都不自觉地笑出声来。

　　无论是反周期性打压还是技术压制，最后比拼的都是资金，拼的是资金带来的抗亏损能力和技术优势。与之前中国核心半导体半路夭折不同的是，此次芯片战争国家将倾国力，绝不会半途而废。

　　还有各路资本大拿们，做点为国争光的事情吧，别整那些没用的泡沐，想想就觉得无聊啊，大家洗洗睡吧。

　　“i have a dream”中国梦不是一句口号。

　　让我们共同期待2019年的亮剑。

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